Lắng đọng lớp nguyên tử

ALD Là một kỹ thuật lắng đọng màng mỏng, đây là một trong những phương pháp quan trọng nhất dựa trên việc sử dụng tuần tự một quá trình hóa học pha khí; nó có thể được coi là một loại hình đặc biệt của phương pháp Lắng đọng hơi hóa học (CVD). Phần lớn các phản ứng ALD sử dụng hai hoặc nhiều chất hóa học được gọi là tiền chất (còn được gọi là "chất phản ứng"). Các tiền chất này phản ứng với bề mặt của vật liệu theo từng chất một, theo cách tự giới hạn và tuần tự. Thông qua số chu kỳ ALD, một màng mỏng sẽ được lắng đọng từ từ. ALD là một quá trình quan trọng trong sản xuất các thiết bị bán dẫn và là một phần trong bộ công cụ sẵn có để tổng hợp các vật liệu cấu trúc nano.
ALD sở hữu một số ưu điểm như độ đồng đều xuất sắc, độ bao phủ bề mặt tốt (với độ dày màng giống nhau được lắng đọng trên bề mặt tấm wafer ngay cả đối với các chất nền có hình dạng phức tạp) và xử lý ở nhiệt độ thấp. Do đó, ALD được ứng dụng trong nhiều lĩnh vực như vi điện tử, công nghệ nano và công nghệ sinh học, những lĩnh vực thường làm việc trên các chất nền mềm, chẳng hạn như các mẫu hữu cơ và sinh học.