Lắng đọng phún xạ là một phương pháp PVD, trong đó một màng mỏng được hình thành bằng cách phún xạ vật liệu từ một bia (target) và sau đó lắng đọng nó trên một chất nền.

Phún xạ đồng thời là quá trình phủ đồng thời từ hai hoặc nhiều bia phún xạ khác nhau. Phương pháp này được sử dụng để chế tạo các hợp chất - hợp kim hoặc vật liệu composite.

Đối với môi trường chân không siêu cao (UHV), nó đóng vai trò cực kỳ quan trọng trong nghiên cứu khoa học, bởi vì các thí nghiệm thường đòi hỏi bề mặt phải được duy trì ở trạng thái không bị nhiễm bẩn trong suốt quá trình diễn ra.

Màng đa lớp chất lượng cao đang ngày càng trở nên quan trọng trong các hệ thống chính xác, nơi mà màng mỏng đơn vật liệu không thể đáp ứng được các thông số kỹ thuật yêu cầu.

Hệ thống lắng đọng phún xạ liên tục (In-Line Sputtering Deposition System) là hệ thống mà trong đó các phiến mẫu (substrates) được truyền qua tuyến tính dưới một hoặc nhiều cathode phún xạ để tiến hành phủ màng mỏng.

Hệ thống sở hữu 4 buồng phún xạ độc lập, cho phép khách hàng tùy ý kết hợp các vật liệu lắng đọng khác nhau, đồng thời vẫn duy trì khả năng vận hành nhanh chóng và tiết kiệm chi phí.

Các vật liệu được đặt trong một nguồn nhiệt điện trở (resistive heat source) bên trong môi trường chân không để bay hơi trực tiếp lên phiến mẫu (substrate), tại đó chúng sẽ ngưng tụ lại thành trạng thái rắn để tạo thành một lớp màng mỏng.

Nguồn bay hơi sử dụng phương pháp gia nhiệt bằng điện có thể được dùng để lắng đọng cho hầu hết các màng mỏng hữu cơ (organic) và vô cơ (inorganic), trong đó phương pháp hiệu ứng nhiệt Joule bằng điện trở (resistance Joule method) là phổ biến nhất.

Quy trình này đòi hỏi độ chính xác cao và độ đồng đều xuất sắc của màng mỏng bằng cách kiểm soát một cách chính xác nhiệt độ và tốc độ lắng đọng.