Lắng đọng phún xạ là một phương pháp Lắng đọng hơi vật lý (PVD) để lắng đọng các màng mỏng bằng cách phún xạ vật liệu từ một bia (target), sau đó lắng đọng nó lên một chất nền. Trong kỹ thuật này, vật liệu nguồn bia bị bắn phá bởi plasma Argon hoặc Nitơ và các chất nền được đặt ở phía trước bia với một khoảng cách thích hợp.
Các ion dương có mặt trong plasma của quá trình phóng điện phát sáng được tăng cường bằng từ trường sẽ bắn phá bia với vận tốc rất cao do động lượng của các va chạm. Các hạt này đi qua buồng lắng đọng chân không của súng phún xạ (sputter gun) và lắng đọng trên bề mặt chất nền dưới dạng các màng mỏng của vật liệu bia. Tùy thuộc vào vật liệu bia, công suất của súng phún xạ sẽ được điều chỉnh một cách thích hợp, chẳng hạn như nguồn một chiều (DC) cho các bia dẫn điện và nguồn xoay chiều (RF) cho các bia không dẫn điện.
 
Ngày nay, quy trình lắng đọng phún xạ là một kỹ thuật cốt lõi được áp dụng trong nhiều ứng dụng của chất bán dẫn, tấm nền LCD, pin mặt trời và các thiết bị quang học nhờ vào độ đồng đều của màng mỏng và hiệu quả thương mại trong quy mô lớn vượt trội hơn so với các phương pháp truyền thống khác vốn làm nóng chảy vật liệu nguồn bằng nhiệt năng.