Lắng đọng phún xạ là một phương pháp PVD, trong đó một màng mỏng được hình thành bằng cách phún xạ vật liệu từ một bia (target) và sau đó lắng đọng nó trên một chất nền.

Phún xạ đồng thời là quá trình phủ đồng thời từ hai hoặc nhiều bia phún xạ khác nhau. Phương pháp này được sử dụng để chế tạo các hợp chất - hợp kim hoặc vật liệu composite.

Đối với môi trường chân không siêu cao (UHV), nó đóng vai trò cực kỳ quan trọng trong nghiên cứu khoa học, bởi vì các thí nghiệm thường đòi hỏi bề mặt phải được duy trì ở trạng thái không bị nhiễm bẩn trong suốt quá trình diễn ra.

Màng đa lớp chất lượng cao đang ngày càng trở nên quan trọng trong các hệ thống chính xác, nơi mà màng mỏng đơn vật liệu không thể đáp ứng được các thông số kỹ thuật yêu cầu.

Hệ thống lắng đọng phún xạ liên tục (In-Line Sputtering Deposition System) là hệ thống mà trong đó các phiến mẫu (substrates) được truyền qua tuyến tính dưới một hoặc nhiều cathode phún xạ để tiến hành phủ màng mỏng.

Hệ thống sở hữu 4 buồng phún xạ độc lập, cho phép khách hàng tùy ý kết hợp các vật liệu lắng đọng khác nhau, đồng thời vẫn duy trì khả năng vận hành nhanh chóng và tiết kiệm chi phí.

Các vật liệu được đặt trong một nguồn nhiệt điện trở (resistive heat source) bên trong môi trường chân không để bay hơi trực tiếp lên phiến mẫu (substrate), tại đó chúng sẽ ngưng tụ lại thành trạng thái rắn để tạo thành một lớp màng mỏng.

Nguồn bay hơi sử dụng phương pháp gia nhiệt bằng điện có thể được dùng để lắng đọng cho hầu hết các màng mỏng hữu cơ (organic) và vô cơ (inorganic), trong đó phương pháp hiệu ứng nhiệt Joule bằng điện trở (resistance Joule method) là phổ biến nhất.

Quy trình này đòi hỏi độ chính xác cao và độ đồng đều xuất sắc của màng mỏng bằng cách kiểm soát một cách chính xác nhiệt độ và tốc độ lắng đọng.

Chùm tia điện tử (E-beam) được tạo ra từ một dây tóc vonfram (tungsten filament), sau đó được điều khiển bởi điện trường và từ trường hướng về phía vật liệu nguồn để chuyển hóa vật liệu này sang pha khí, từ đó lắng đọng lên bề mặt phiến mẫu (substrate).

Hệ thống lắng đọng chùm tia điện tử (E-beam deposition system) là phương pháp sử dụng chùm tia điện tử được tạo ra từ một nguồn điện tử trong môi trường chân không hướng vào vật liệu, tiến hành gia nhiệt và làm bay hơi vật liệu đó để vật liệu đã hóa hơi hình thành một màng mỏng trên bề mặt đế.

Đối với môi trường siêu chân không (UHV), điều này có vai trò cực kỳ quan trọng trong nghiên cứu khoa học, bởi vì các thí nghiệm thường yêu cầu bề mặt vật liệu phải được duy trì trong trạng thái hoàn toàn không nhiễm bẩn suốt quá trình diễn ra.

Lift-Off là một quy trình tạo mẫu hình (patterning) trên bề mặt đế và có nguyên lý ngược lại với quy trình khắc (etching).

Lắng đọng hóa học từ pha hơi (CVD) là một công nghệ hóa học được sử dụng để chế tạo các vật liệu rắn có độ tinh khiết cao và hiệu suất cao.

PECVD là giải pháp thay thế giúp lắng đọng đa dạng các màng mỏng ở nhiệt độ thấp hơn so với các phương pháp CVD truyền thống mà không làm suy giảm chất lượng màng.

Nó có thể cung cấp một phần năng lượng cho phản ứng lắng đọng. So với PECVD, ICP-CVD có thể lắng đọng đa dạng các loại màng ở nhiệt độ thấp hơn nữa mà không làm suy giảm chất lượng màng.

Phản ứng tại bề mặt này chính là tác nhân hình thành nên vật liệu pha rắn. Áp suất thấp được áp dụng nhằm giảm thiểu các phản ứng không mong muốn ở pha khí, đồng thời tăng cường độ đồng đều trên toàn bộ bề mặt đế.

Với sự gia tăng về kích thước của các tấm nền LCD và nhu cầu sản xuất thủy tinh, thiết bị sản xuất cũng trở nên lớn hơn, đòi hỏi nguồn vốn đầu tư thiết bị ngày càng cao.

Màng carbon giống kim cương (DLC) được hình thành từ việc kết hợp liên kết sp3 nồng độ cao (Kim cương) với liên kết sp2 nồng độ thấp.

Hệ thống lắng đọng hơi hóa học nâng cao bằng plasma dạng mẻ (Batch Type PECVD) có thể cung cấp năng lượng cho phản ứng lắng đọng.

Công nghệ này có thể được coi là một dạng đặc biệt của lắng đọng hóa học từ pha hơi (CVD). Phần lớn các phản ứng ALD đều sử dụng hai hoặc nhiều loại hóa chất được gọi là chất tiền chất (precursors).

Trong hầu hết các phản ứng ALD, hai chất hóa học được sử dụng làm tiền chất. Các tiền chất này phản ứng với bề mặt vật liệu theo phương thức liên tục và tự giới hạn (self-limiting).

Quy trình này cho phép chế tạo các màng mỏng thuận hình (conformal) từ đa dạng các loại vật liệu với khả năng kiểm soát ở cấp độ nguyên tử, mà không cần nhiệt độ cao để cung cấp năng lượng kích hoạt cần thiết.

Khắc mòn khô (được biết đến là khắc mòn khô bằng plasma) là quá trình loại bỏ các vật liệu ra khỏi bề mặt của một loại vật liệu khác.

Quy trình RIE là một quy trình khắc vật lý - hóa học, và là quy trình quan trọng nhất để định hình các cấu trúc màng mỏng khác nhau trong sản xuất bán dẫn.

Plasma mật độ cao được tạo ra, bao bọc bởi cuộn cảm, và hoạt động như cuộn thứ cấp trong một máy biến áp, giúp gia tốc các electron và ion, từ đó gây ra các va chạm để sinh ra nhiều ion và electron hơn nữa.

Khi kích thước chức năng của linh kiện tiếp tục thu nhỏ hơn nữa, việc ứng dụng công nghệ ALE là điều bắt buộc để đạt được độ chính xác theo yêu cầu.

Công nghệ làm sạch bằng plasma vi sóng (Microwave plasma cleaning) sở hữu nhiều ưu điểm vượt trội như không gây tổn hại (no-damage), hiệu suất cao và không gây ô nhiễm do hiện tượng phún xạ điện cực. Công nghệ này có thể làm sạch và xử lý triệt để các chất ô nhiễm trên bề mặt vật liệu, đặc biệt thích hợp cho quy trình làm sạch đóng gói các chip nhạy cảm.