Sản phẩm

Phún xạ đồng thời

OLEDs / Màn hình

OPV / Pin mặt trời Perovskite

Công nghiệp bán dẫn

Nghiên cứu vật lý / vật liệu

Phún xạ đồng thời là quá trình phủ đồng thời từ hai hoặc nhiều bia phún xạ khác nhau. Phương pháp này được sử dụng để chế tạo các hợp chất - hợp kim hoặc vật liệu composite. Màng mỏng được kiểm soát bằng cách tối ưu hóa mật độ công suất của từng súng phún xạ (bia). Hệ thống phún xạ đồng thời magnetron của SYSKEY cung cấp khả năng kiểm soát chính xác nhiều điều kiện quy trình phún xạ magnetron khác nhau, nhằm mang lại cho khách hàng màng mỏng composite với chất lượng tốt nhất.

Hệ thống phún xạ của SYSKEY được trang bị buồng nạp đơn (single loading) và buồng nạp dạng khay (cassette loading), giúp tiết kiệm thời gian hút chân không của quy trình.

Hệ thống phún xạ của SYSKEY có thể cấp điện áp phân cực (bias voltage) một cách độc lập lên phần bệ đỡ (stage), giúp làm sạch và tăng độ bám dính của các vật liệu.

Nguồn ion có thể được sử dụng để làm sạch chất nền và tăng tốc độ phún xạ của vật liệu phủ, đồng thời chùm ion giúp lắng đọng và làm nén chặt các màng mỏng được lắng đọng trong quá trình lắng đọng vật liệu.

Ứng dụng	Buồng
Bán dẫn. Công nghệ nano. Kiểm soát và đảm bảo chất lượng sản phẩm (QC & QA). Oxit, Nitrua và Kim loại. Nghiên cứu vật liệu. Pin mặt trời. Nghiên cứu quang học.	Kích thước buồng linh hoạt, phụ thuộc vào kích thước phiến đế (substrate) và ứng dụng thực tế. Cửa mở toàn phần tích hợp hai kính quan sát (viewport) có nắp che (shutter), giúp dễ dàng theo dõi phiến đế và các nguồn phún xạ. Trang bị đồng hồ đo chân không dải đo rộng có màn hình hiển thị và đồng hồ Baratron phục vụ cho việc kiểm soát áp suất vòng lặp kín (closed-loop). Chân không giới hạn (độ chân không cực hạn) của buồng đạt khoảng 10⁻⁸ Torr.
Cấu hình và lợi ích	Tùy chọn
Kích thước đế linh hoạt lên đến 12 inch. Độ đồng đều màng mỏng xuất sắc dưới ±3%. Nguồn phún xạ magnetron (lên đến 8 nguồn) với kích thước bia tùy chọn. Nhiều nguồn hoạt động tuần tự hoặc đồng lắng đọng (co-deposition). Sử dụng nguồn RF, DC hoặc pulsed-DC cho bia dẫn điện hoặc không dẫn điện. Lắng đọng màng đa lớp với các vật liệu bia được chọn. Bộ điều khiển lưu lượng khối - MFC (lên đến 4 đường khí). Gia nhiệt bệ đỡ đế lên đến 1000°C. Khoảng cách từ đế đến bia có thể điều chỉnh. Cửa sập (shutter) được lắp đặt tại mỗi nguồn phún xạ và đế.	Tích hợp với buồng nạp mẫu (Load-Lock), cánh tay robot và buồng găng tay (glove box). Kết hợp với nguồn ion (Ion-source), nguồn nhiệt (thermal source), chùm tia điện tử (E-beam), v.v. Phân cực (bias) RF hoặc DC cho đế. Bộ giám sát độ dày (màng). Làm sạch đế bằng plasma RF. Bổ sung cổng dự phòng cho OES, RGA hoặc các thiết bị giám sát quy trình khác.