Môi trường chân không siêu cao (UHV) đặc trưng bởi áp suất thấp hơn 10⁻⁸ đến 10⁻¹² Torr, và được ứng dụng phổ biến trong các lĩnh vực hóa học, vật lý cũng như kỹ thuật. Đối với môi trường UHV, nó đóng vai trò cực kỳ quan trọng trong nghiên cứu khoa học, bởi vì các thí nghiệm thường đòi hỏi bề mặt phải được duy trì ở trạng thái không bị nhiễm bẩn trong suốt quá trình diễn ra, đồng thời cho phép sử dụng các kỹ thuật thực nghiệm dựa trên ion và electron năng lượng thấp mà không bị nhiễu do hiện tượng tán xạ pha khí. Trong hệ thống phún xạ chân không siêu cao này, SYSKEY tự hào có thể chế tạo hoàn hảo các màng mỏng chất lượng cao.

 

 

 

 

Thiết kế cơ cấu phủ màng quay phiến đế (substrate) ứng dụng trong môi trường chân không siêu cao (UHV) và gia nhiệt nhiệt độ cao. Cơ cấu sử dụng vòng bi (bạc đạn) gốm để truyền động quay, đồng thời tích hợp chu trình làm mát bằng nước bên trong nhằm bảo vệ các linh kiện cơ khí, đảm bảo sự ổn định vượt trội khi vận hành trong thời gian dài.

 

 

Ứng dụng	Buồng
Bán dẫn. Công nghệ nano. Kiểm soát và đảm bảo chất lượng sản phẩm (QC & QA). Oxit, Nitrua và Kim loại. Nghiên cứu vật liệu. Pin mặt trời. Nghiên cứu quang học.	Tối ưu hóa độ kín bằng gioăng kim loại cho buồng chân không và gia nhiệt thành buồng (baking) lên đến 150°C. Kích thước buồng linh hoạt, phụ thuộc vào kích thước đế và ứng dụng thực tế. Đồng hồ đo chân không dải đo rộng có màn hình hiển thị và đồng hồ Baratron để kiểm soát áp suất vòng lặp kín (closed-loop). Độ chân không giới hạn của buồng đạt khoảng 10⁻¹⁰ Torr.​
Cấu hình và tính năng vượt trội	Các tùy chọn cấu hình
Kích thước đế linh hoạt lên đến 12 inch. Độ đồng đều màng mỏng xuất sắc dưới ±3%. Nguồn phún xạ magnetron (lên đến 8 nguồn) với kích thước bia tùy chọn. Sử dụng nguồn RF, DC hoặc pulsed-DC cho bia dẫn điện hoặc không dẫn điện. Lắng đọng màng đa lớp với các vật liệu bia được chọn. Bộ điều khiển lưu lượng khối - MFC (lên đến 4 đường khí). Gia nhiệt bệ đỡ đế lên đến 1000°C. Khoảng cách từ đế đến bia có thể điều chỉnh. Cửa sập (shutter) được lắp đặt tại mỗi nguồn phún xạ và đế.​	Tích hợp với các hệ thống chân không khác. Kết hợp với nguồn ion (Ion-source), nguồn nhiệt (thermal source), chùm tia điện tử (E-beam), v.v. Chuyển đổi phân cực (bias) RF hoặc DC. Bộ giám sát độ dày (màng). Làm sạch đế bằng plasma RF. Bổ sung cổng dự phòng cho OES, RGA hoặc các thiết bị giám sát quy trình khác.