ALD Lắng đọng lớp nguyên tử (Atomic layer deposition) để chế tạo màng mỏng là một trong những kỹ thuật quan trọng nhất dựa trên việc sử dụng tuần tự một quy trình hóa học pha khí;  Kỹ thuật này có thể được xem là một dạng đặc biệt của phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD). Phần lớn các phản ứng ALD đều sử dụng hai hoặc nhiều chất hóa học được gọi là tiền chất (precursors, còn gọi là "chất phản ứng"). Các tiền chất này phản ứng với bề mặt vật liệu theo từng bước một, theo cơ chế tuần tự và tự giới hạn (self-limiting). Thông qua số lượng chu kỳ ALD (cycles), màng mỏng sẽ được lắng đọng một cách chậm rãi. ALD là một quy trình quan trọng trong sản xuất các thiết bị bán dẫn, và là một phần trong tập hợp các công cụ cốt lõi dùng để tổng hợp các vật liệu nano.

ALD sở hữu nhiều ưu điểm vượt trội như độ đồng đều xuất sắc, độ phủ màng bao bọc/thuận hình (film conformality) lý tưởng với độ dày màng giống hệt nhau được lắng đọng trên toàn bộ bề mặt wafer ngay cả với các bệ đế có hình dạng phức tạp, cùng với khả năng xử lý ở nhiệt độ thấp. Do đó, ALD được áp dụng cho nhiều ứng dụng trong các lĩnh vực vi điện tử, công nghệ nano và công nghệ sinh học, những nơi thường phải thao tác trên các bệ đế mềm dẻo (soft substrates) như các mẫu hữu cơ và mẫu sinh học.