Hệ thống lắng đọng phún xạ liên tục (In-Line) là hệ thống mà trong đó các phiến mẫu (substrates) được truyền qua theo đường thẳng dưới một hoặc nhiều cathode phún xạ để tiến hành phủ màng mỏng. Hệ thống này có thể chỉ cần sử dụng các xích truyền động chạy dọc theo đường ray xuyên qua buồng chân không.

Về nguồn điện, hệ thống có thể sử dụng bất kỳ loại nguồn nào hiện có tùy theo yêu cầu của ứng dụng, chẳng hạn như RF, DC hoặc pulsed DC (DC xung). Các công đoạn tùy chọn như khắc mòn phún xạ (sputter etch), gia nhiệt hoặc nguồn ion cũng có thể được tích hợp vào hệ thống. Ngoài ra, một hệ thống đầy đủ các thiết bị đo lường và điều khiển luôn sẵn sàng để phục vụ cho các ứng dụng phủ màng kim loại/dẫn điện, màng điện môi, phủ màng quang học hoặc các ứng dụng phún xạ khác.

 

 

 

Đối với hệ thống lắng đọng phún xạ liên tục (In-Line) của SYSKEY, hệ thống này mang lại khả năng kiểm soát chính xác các điều kiện của quy trình phún xạ In-line, nhằm cung cấp cho khách hàng những màng mỏng với chất lượng tối ưu nhất.

 

 

                                                                                                                                                                 
 

---

 

Ứng dụng	Buồng
Công nghệ nano. Kiểm soát chất lượng (QC) & Đảm bảo chất lượng (QA) sản phẩm. Nghiên cứu vật liệu. Pin mặt trời. Màn hình cảm ứng / Bảng cảm ứng. TFT-LCD. Nghiên cứu vật liệu Oxide, Nitride và Kim loại.​	Kích thước buồng linh hoạt, phụ thuộc vào kích thước của phiến mẫu (substrate) và các ứng dụng. Đồng hồ đo chân không dải rộng (Full range) kèm màn hình hiển thị và đồng hồ Baratron dùng để kiểm soát áp suất vòng lặp kín (closed-loop). Độ chân không giới hạn (Ultimate vacuum) của buồng đạt khoảng 10⁻⁷ Torr.​
Cấu hình và Lợi ích	Các tùy chọn
Kích thước phiến mẫu (substrate) linh hoạt, lên đến 1100 x 1300 mm² (đối với kính). Độ đồng đều màng mỏng xuất sắc, nhỏ hơn ±5%. Tốc độ lắng đọng (Deposition Rate) cao ≥ 250 nm/phút và cathode hiệu suất cao. Nguồn công suất phún xạ: RF 5kW, DC hoặc pulsed-DC (DC xung) tối đa 20kW. Bộ điều khiển lưu lượng khối (MFC) với hệ thống phân phối khí có độ đồng đều cao. Gia nhiệt phiến mẫu (substrate) lên đến 400°C với hệ thống kiểm soát nhiệt độ ổn định. • Phún xạ theo phương thẳng đứng (Vertical) hoặc phương ngang (Horizontal).​	Hệ thống phản hồi khay trung chuyển (Carrier return system). Robot dùng cho việc nạp mẫu tự động (Auto loading). Cổng chờ bổ sung dành cho OES, RGA hoặc các thiết bị giám sát quy trình khác. Tích hợp với buồng khóa chân không (Load-Lock), cánh tay robot và tủ thao tác găng thư (glove box). Kết hợp với nguồn Ion (Ion-source), nguồn nhiệt (thermal source), chùm tia điện tử (E-beam), v.v. Chuyển đổi nguồn phân cực (Bias) RF hoặc DC. Thiết bị giám sát độ dày màng Làm sạch phiến mẫu (substrate) bằng Plasma RF.​ Cổng chờ bổ sung dành cho OES, RGA hoặc các thiết bị giám sát quy trình khác.