CVD (Lắng đọng hơi hóa học / Chemical Vapor Deposition) là một quy trình trong đó đế (substrate) được tiếp xúc với một hoặc nhiều chất tiền chất dễ bay hơi, các chất này sẽ phản ứng và phân hủy trên bề mặt đế để tạo ra lớp màng mỏng lắng đọng mong muốn. Phương pháp này thường được sử dụng để chế tạo các vật liệu rắn có độ tinh khiết cao, hiệu năng vượt trội trong môi trường chân không. Do đó, quy trình này được ứng dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bán dẫn để chế tạo các màng mỏng.

 Hình 1: Các bước liên quan trong quá trình lắng đọng hơi hóa học

Trong quy trình CVD điển hình, các khí tiền chất (precursor gases, thường được pha loãng trong khí dẫn / carrier gas) được nạp vào buồng phản ứng ở nhiệt độ môi trường. Khi chúng đi qua hoặc tiếp xúc với đế đã được gia nhiệt, chúng sẽ phản ứng hoặc phân hủy để tạo thành một pha rắn và lắng đọng lên trên bệ đế. Trong quá trình này, các sản phẩm phụ dễ bay hơi cũng được sinh ra và chúng sẽ bị loại bỏ thông qua dòng khí lưu thông qua buồng phản ứng. Nhiệt độ của bệ đế đóng vai trò cực kỳ quan trọng và có thể ảnh hưởng trực tiếp đến các phản ứng hóa học sẽ diễn ra.                                                                                                                                                       

  Hình 2: Sơ đồ nguyên lý - Các bước liên quan trong quá trình lắng đọng hơi hóa học