Sản phẩm

Hệ thống khắc lớp nguyên tử

OLEDs / Màn hình

OPV / Pin mặt trời Perovskite

Công nghiệp bán dẫn

Nghiên cứu vật lý / vật liệu

Khắc lớp nguyên tử (ALE) là một kỹ thuật khắc tiên tiến có thể kiểm soát chính xác độ sâu khắc của nó. Khi kích thước chức năng của linh kiện tiếp tục thu nhỏ hơn nữa, việc ứng dụng công nghệ ALE là điều bắt buộc để đạt được độ chính xác theo yêu cầu.

Điều này đã thu hút sự chú ý vào một kỹ thuật gọi là khắc lớp nguyên tử (ALE), giúp vượt qua các giới hạn của phương pháp khắc truyền thống (khắc liên tục) ở cấp độ nguyên tử. Quy trình khắc lớp nguyên tử dựa trên nền tảng plasma là một quy trình khắc tuần hoàn theo chu kỳ bằng cách cấy khí (gas implantation) và oanh tạc ion (ion bombardment), sở hữu tiềm năng bóc tách một lớp màng mỏng duy nhất với tổn thương cực kỳ thấp.

Đối với hệ thống của SYSKEY, thiết bị có thể kiểm soát lưu lượng khí và quy trình plasma, giúp thực hiện một cách hoàn hảo quy trình khắc màng mỏng độ chính xác cao.

　　　　　　　　　　　　　　　　　　Cấu trúc 3D Fin-TFT

Ứng dụng	Buồng chân không
Silicon và các hợp chất gốc silicon (SiO₂, Si₃N₄). Hệ thống vi cơ điện tử (MEMS). Khắc kim loại, silicon và chất cảm quang (resist).	Buồng chân không bằng nhôm hoặc thép không gỉ với thiết kế tiết kiệm diện tích, giúp rút ngắn thời gian chu kỳ (fast cycle time). Kiểm soát nhiệt độ buồng bằng cách sử dụng bộ làm mát/làm nóng nước (water chiller/heater).
Cấu hình và lợi ích	Tùy chọn
Kích thước đế linh hoạt lên tới đường kính 12 inch. Hệ thống khắc với khả năng thực hiện khắc ở các chế độ ICP, RIE, ALE và DRIE trong cùng một buồng phản ứng (reactor). Độ đồng đều màng mỏng xuất sắc dưới ±3%. Bộ điều khiển lưu lượng khối (MFC) với khả năng phân phối khí đồng đều cao. Gia nhiệt mâm cặp giữ đế (substrate chuck) lên đến 300°C hoặc làm mát xuống -20°C với khả năng kiểm soát nhiệt độ quy trình ổn định. Nguồn plasma ICP lên đến 2000W với thiết kế cuộn cảm Tornado ICP coil, giúp tăng cường hiệu quả lắng đọng dưới nhiệt độ thấp. Quy trình ít tổn thương (low damage), tốc độ cao (high rate), tỷ lệ khía cạnh cao (high aspect ratio). Cơ chế kẹp wafer (wafer clamping) kết hợp làm mát mặt sau bằng khí Heli, hỗ trợ tối ưu quy trình khắc dị hướng (anisotropic etch). Có thể làm sạch buồng chân không bằng plasma đối với một số loại vật liệu. Hệ thống phân phối khí dạng vòi sen (showerhead) cấp nguồn RF với sự phân phối khí được tối ưu hóa.	Mâm cặp tĩnh điện (Electrostatic Chuck). Khả năng tương thích với bộ giám sát điểm kết thúc (OES, laser).