Sản phẩm

Hệ thống khắc ion phản ứng plasma cảm ứng khơi mào

OLEDs / Màn hình

OPV / Pin mặt trời Perovskite

Công nghiệp bán dẫn

Nghiên cứu vật lý / vật liệu

Khắc plasma cảm ứng khơi mào (ICP) được phát triển dựa trên quy trình khắc ion phản ứng (RIE) tiêu chuẩn bằng cách tích hợp thêm nguồn ICP. Plasma cảm ứng khơi mào được cung cấp bởi trường điện từ phát ra từ một cuộn cảm bao bọc xung quanh ống thạch anh tube. Plasma mật độ cao được tạo ra, bao bọc bởi cuộn cảm, và hoạt động như cuộn thứ cấp trong một máy biến áp, giúp gia tốc các electron và ion, từ đó gây ra các va chạm để sinh ra nhiều ion và electron hơn nữa. Môi trường plasma mật độ cao kết hợp với áp suất thấp giúp gia tăng hiệu quả, mang lại tốc độ khắc cực cao với một biên dạng khắc dị hướng (anisotropic profile).

Năng lượng của các ion và electron có thể được kiểm soát bằng cách điều chỉnh điện áp phân cực DC (DC bias) từ bộ phát RF theo yêu cầu của quy trình. Đối với hệ thống của SYSKEY, thiết bị có thể kiểm soát lưu lượng khí và quy trình plasma, giúp thực hiện một cách hoàn hảo quy trình khắc màng mỏng độ chính xác cao.

Ứng dụng	Buồng chân không
Nghiên cứu plasma cơ bản. Khắc chất cảm quang (photo-resist etching). Khắc các chất bán dẫn hợp chất III-V (GaAs, InP, GaN). Khắc Si, SiO₂, SiN_x. Hệ thống vi cơ điện tử (MEMS). Khắc kim loại, silicon và chất cảm quang (resist).	Buồng chân không bằng nhôm anod hóa cứng (hard anodized aluminum). Kiểm soát nhiệt độ buồng bằng cách sử dụng bộ làm mát/làm nóng nước (water chiller/heater).
Cấu hình và lợi ích	Tùy chọn
Kích thước đế linh hoạt lên tới đường kính 12 inch. Độ đồng đều màng mỏng xuất sắc dưới ±3%. Bộ điều khiển lưu lượng khối (MFC) với khả năng phân phối khí đồng đều cao. Gia nhiệt mâm cặp giữ đế (substrate chuck) lên đến 300°C hoặc làm mát xuống -20°C với khả năng kiểm soát nhiệt độ quy trình ổn định. Nguồn plasma ICP lên đến 2000W với thiết kế cuộn cảm Tornado ICP coil, giúp tăng cường hiệu quả lắng đọng/khắc dưới nhiệt độ thấp. Quy trình ít tổn thương (low damage), tốc độ cao (high rate), tỷ lệ khía cạnh cao (high aspect ratio). Cơ chế kẹp wafer (wafer clamping) kết hợp làm mát mặt sau bằng khí Heli, hỗ trợ tối ưu quy trình khắc dị hướng (anisotropic etch).	Mâm cặp tĩnh điện (Electrostatic Chuck). Khả năng tương thích với bộ giám sát điểm kết thúc (OES, laser). Hệ thống Cluster cho phép truyền đế trong môi trường chân không.