Hệ thống lắng đọng hơi hóa học nâng cao bằng plasma
PECVD là giải pháp thay thế giúp lắng đọng đa dạng các màng mỏng ở nhiệt độ thấp hơn so với các phương pháp CVD truyền thống mà không làm suy giảm chất lượng màng.
Hệ thống lắng đọng hơi hóa học
CVD Là một quá trình trong đó chất nền được tiếp xúc với một hoặc nhiều tiền chất dễ bay hơi, chúng phản ứng và phân hủy trên bề mặt chất nền để tạo ra màng mỏng lắng đọng mong muốn. Phương pháp này thường được sử dụng để chế tạo các vật liệu rắn chất lượng cao, hiệu suất cao trong môi trường chân không. Do đó, quá trình này thường được sử dụng trong ngành công nghiệp bán dẫn để chế tạo các màng mỏng.

Figure 1: Steps involved in Chemical Vapor Deposition
Trong quá trình CVD điển hình, các khí tiền chất (thường được pha loãng trong khí mang) được đưa vào buồng phản ứng ở nhiệt độ môi trường. Khi chúng đi qua hoặc tiếp xúc với chất nền đã được gia nhiệt, chúng sẽ phản ứng hoặc phân hủy để tạo thành pha rắn và lắng đọng trên chất nền. Trong quá trình này, các phụ phẩm dễ bay hơi cũng được tạo ra và được loại bỏ bằng dòng khí đi qua buồng phản ứng. Nhiệt độ của chất nền là rất quan trọng và có thể ảnh hưởng đến các phản ứng sẽ diễn ra.

Figure 2: Schematic Diagram - The steps involved in Chemical Vapor Deposition