

Khắc bằng chùm tia ion (IBE) là một kỹ thuật khắc tiên tiến sử dụng nguồn ion để loại bỏ vật liệu khỏi bề mặt đế với độ chính xác và độ đồng đều xuất sắc. Công nghệ IBE có thể áp dụng cho đa dạng các loại vật liệu khác nhau, bao gồm kim loại, oxit, chất bán dẫn và các hợp chất hữu cơ. Phương pháp khắc này liên quan đến việc sử dụng một chùm tia năng lượng cao chứa các hạt mang điện, thường là các ion argon, để oanh tạc và bóc tách vật liệu khỏi bề mặt mẫu một cách vật lý.
Các ion này được tạo ra trong một nguồn ion, được gia tốc đến mức năng lượng cao bởi điện trường, và sau đó được hội tụ thành một chùm tia bằng cách sử dụng các thấu kính từ trường hoặc thấu kính tĩnh điện. Khi chùm tia ion được điều hướng thẳng vào bề mặt của mẫu, nó sẽ va chạm với các nguyên tử trong vật liệu, khiến chúng bị đánh bật ra khỏi bề mặt. Bằng cách điều chỉnh năng lượng của chùm tia ion và góc bắn của chùm tia, quy trình khắc có thể được kiểm soát một cách cực kỳ chính xác.
| Cấu hình và lợi ích |
Tùy chọn |
-
Khả năng kiểm soát tốc độ khắc cao và tốc độ thấp một cách linh hoạt
-
Quy trình xử lý đạt độ đồng đều cao nhờ chùm tia song song đồng nhất
-
Cấu hình linh hoạt phục vụ cho các ứng dụng nghiên cứu chuyên sâu nâng cao
-
Khả năng xử lý wafer linh hoạt – nạp phôi hở (open load), buồng khóa tải đơn wafer (single wafer load lock) hoặc hệ thống truyền tự động bằng cánh tay robot dạng cassette-to-cassette
-
Thực hiện quy trình khắc dị hướng (anisotropic etching) có kiểm soát
-
Có thể kiểm soát biên dạng góc khắc (angular profile) nhờ góc biến thiên của chùm tia khắc so với bề mặt mẫu
-
Hệ thống Load-lock. (Tùy chọn)
-
Hệ thống phát hiện điểm kết thúc khắc - End point detection. (Tùy chọn)
|
-
Khả năng tương thích với bộ giám sát điểm kết thúc (OES, laser).
-
Hệ thống Cluster cho phép truyền đế trong môi trường chân không.
-
Kích thước đế (tối đa): đường kính lên tới 200 mm.
-
Nhiệt độ đế: -20 °C đến 80 °C
-
Làm mát mặt sau Wafer bằng khí Heli: Tiếp xúc làm mát mặt sau bằng khí Heli, áp suất mặt sau lên tới 50 Torr. (Tùy chọn)
-
Độ nghiêng bệ đế (Substrate Tilt): Có thể nghiêng tại chỗ (in-situ) từ 0° đến 170° với các bước điều chỉnh 0.1°
-
Tốc độ xoay bệ đế: Lên tới 20 RPM
-
Cơ chế truyền đế (Substrate Transfer): Thủ công (Manual) hoặc Tự động (Automatic)
|