Để đáp ứng nhu cầu thực nghiệm nhanh chóng và tối ưu hóa không gian hạn chế, SYSKEY đã phát triển dòng thiết bị siêu nhỏ gọn dành cho các đế wafer và thủy tinh kích thước 2 inch, chúng tôi gọi là “Mini Line”. Mini Line là một hệ thống sản xuất thực tế phục vụ cho sản lượng nhỏ. Thiết bị này giúp việc sản xuất số lượng ít các linh kiện trở nên dễ dàng hơn thông qua việc tối ưu độ cao, mang lại một phương thức nghiên cứu và phát triển thế hệ mới đáp ứng mong đợi của các nhà nghiên cứu.

 

Đối với hệ thống Mini Line của SYSKEY, các cấu hình bao gồm hệ thống nhiệt (thermal system), hệ thống phún xạ (sputter), PECVD, PEALD, RIE, ICP-RIE, E-beam. Thiết bị có thể kiểm soát chính xác khí quy trình, giám sát dữ liệu (áp suất, nhiệt độ đế) và mang lại các màng mỏng chất lượng cao.

 

---

 

Phún xạ đa bia (Multi-Target Sputter)	Bay hơi nhiệt (Thermal Evaporation)	PECVD
Hỗ trợ 3 nguồn phún xạ magnetron. Kích thước bia (target) 1 inch. Độ đồng đều màng mỏng xuất sắc dưới ±3%. Nhiều nguồn với khả năng vận hành tuần tự hoặc đồng lắng đọng (co-deposition). Hỗ trợ nguồn RF, DC hoặc pulsed-DC tương ứng cho các loại bia dẫn điện và không dẫn điện. Gia nhiệt bệ đỡ đế lên đến 800°C.	Hỗ trợ 3 nguồn bay hơi (kim loại và hữu cơ). Kích thước bia 1 inch. Độ đồng đều màng mỏng xuất sắc dưới ±3%. Nhiều nguồn với khả năng vận hành tuần tự hoặc đồng lắng đọng. Gia nhiệt bệ đỡ đế lên đến 800°C.	Chế tạo các màng SiOx, SiNx, a-Si. Độ đồng đều màng mỏng xuất sắc dưới ±3%. Gia nhiệt bệ gá đế (substrate chuck) lên đến 400°C với khả năng kiểm soát nhiệt độ quy trình ổn định. Plasma ghép cặp điện dung (CCP) dạng trực tiếp và dạng từ xa.
PEALD	Khắc ion phản ứng	Khắc plasma cảm ứng khơi mào
Nguồn tiền chất hỗ trợ lên đến 2 đường tiền chất. Độ đồng đều màng mỏng xuất sắc dưới ±1%. Plasma từ xa CCP (CCP remote plasma). Hệ thống gia nhiệt đế 500°C. Vật liệu lắng đọng: Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2 , SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…	Bộ phát tần số vô tuyến RF 13,56 MHz với mạng phối hợp trở kháng tự động mang lại khả năng lặp lại quy trình xuất sắc. Độ đồng đều của màng mỏng xuất sắc, dưới ±3%. Bộ điều khiển lưu lượng khối (MFC) với hệ thống phân phối khí độ đồng đều cao lên đến 6 đường khí. Khả năng làm mát đế xuống đến -20°C và gia nhiệt lên đến 200°C. Vật liệu: Bán dẫn hợp chất III-V, kim loại, silicon, chất cảm quang (photoresist).	Cuộn cảm phía trên (top coil) cho plasma ICP và nguồn công suất phía dưới (down power) cho RIE. Độ đồng đều của màng mỏng xuất sắc, dưới ±3%. Khả năng làm mát đế xuống đến -20°C và gia nhiệt lên đến 200°C (tùy chọn). Cơ chế kẹp wafer kết hợp làm mát mặt sau bằng khí helium hỗ trợ quá trình khắc bất đẳng hướng (anisotropic etch). Vật liệu: Bán dẫn hợp chất III-V, kim loại, silicon, chất cảm quang (photoresist).