Lắng đọng lớp nguyên tử
Công nghệ này có thể được coi là một dạng đặc biệt của lắng đọng hóa học từ pha hơi (CVD). Phần lớn các phản ứng ALD đều sử dụng hai hoặc nhiều loại hóa chất được gọi là chất tiền chất (precursors).
Hệ thống lắng đọng lớp nguyên tử hỗ trợ bằng plasma

Lắng đọng lớp nguyên tử nâng cao bằng plasma (PEALD) là một phương pháp tiên tiến dựa trên công nghệ ALD truyền thống bằng cách sử dụng plasma như một điều kiện để bẻ gãy các liên kết của vật liệu tiền chất, thay vì chỉ phụ thuộc duy nhất vào nhiệt năng
từ bệ đế đã được gia nhiệt. Quy trình này cho phép chế tạo các màng mỏng thuận hình (conformal) từ đa dạng các loại vật liệu với khả năng kiểm soát ở cấp độ nguyên tử mà không cần nhiệt độ cao để cung cấp năng lượng kích hoạt cần thiết. Đối với hệ thống của SYSKEY, thiết bị có thể kiểm soát hoàn hảo quy trình plasma và ALD, giúp độ dày và độ đồng đều của màng đạt mức dưới +/- 1%.
Demo linh kiện MOS / Bộ nhớ SONOS

Màng mỏng High-K cho linh kiện công suất GaN
| Ứng dụng | Buồng chân không |
|
|
| Cấu hình và lợi ích | Tùy chọn |
|
|