Sản phẩm

Hệ thống lắng đọng hơi hóa học bằng plasma cảm ứng khơi mào

OLEDs / Màn hình

OPV / Pin mặt trời Perovskite

Công nghiệp bán dẫn

Nghiên cứu vật lý / vật liệu

ICP-CVD Lắng đọng hơi hóa học bằng plasma cảm ứng khơi mào (Inductively coupled plasma chemical vapor deposition) là một kỹ thuật lắng đọng hơi hóa học sử dụng nguồn ICP. Nó có thể cung cấp một phần năng lượng cho phản ứng lắng đọng. So với PECVD, ICP-CVD có thể lắng đọng đa dạng các loại màng ở nhiệt độ thấp hơn nữa mà không làm suy giảm chất lượng màng. Việc sử dụng nguồn ICP làm nguồn plasma mang lại những ưu điểm như nồng độ plasma cao hơn, tổn hao năng lượng thấp hơn, công suất cao hơn và tốc độ phản ứng nhanh hơn. Đối với hệ thống của SYSKEY, thiết bị có thể kiểm soát lưu lượng khí và ghi lại dữ liệu hệ thống theo thời gian thực (áp suất, nhiệt độ đế), giúp chế tạo một cách hoàn hảo các màng mỏng chất lượng cao.

　　　　Graphene 3D (3D Graphene)

Ứng dụng	Buồng chân không
Tăng trưởng ống nano carbon (CNT) và graphene. Các màng SiO_x, SiN_x, a-Si, DLC và các màng mỏng khác. Vật liệu 2D (2D material). Lớp phủ chống mài mòn cho các sản phẩm y tế & thương mại.	Buồng chân không bằng nhôm hoặc thép không gỉ với thiết kế tiết kiệm diện tích lắp đặt (small footprint). Kiểm soát nhiệt độ buồng bằng cách sử dụng bộ làm mát/làm nóng nước (water chiller/heater).
Cấu hình và lợi ích	Tùy chọn
Kích thước đế linh hoạt lên tới wafer đường kính 12 inch. Áp suất quy trình: 50 ~ 10^-3 torr. Bộ điều khiển lưu lượng khối (MFC) với khả năng phân phối khí đồng đều cao, hỗ trợ lên đến 10 đường khí. Gia nhiệt bệ đỡ đế lên đến 700°C với khả năng kiểm soát nhiệt độ quy trình ổn định. Hộp tự động tương thích RF (RF match box) có phạm vi vận hành rộng (từ 50 W đến 2000 W), đáp ứng đa dạng các ứng dụng của khách hàng trong chế độ ICP-CVD.	Tích hợp hệ thống Load-Lock (đơn đế hoặc cassette-to-cassette), tủ glove box. Nguồn plasma từ xa (RPS) để làm sạch buồng. Quang phổ phát xạ quang học (OES). Hệ thống Cluster cho phép truyền đế trong môi trường chân không.