Sản phẩm

Hệ thống lắng đọng hơi hóa học áp suất thấp

OLEDs / Màn hình

OPV / Pin mặt trời Perovskite

Công nghiệp bán dẫn

Nghiên cứu vật lý / vật liệu

Lắng độ hơi hóa học áp suất thấp (LPCVD) là công nghệ lắng đọng hơi hóa học sử dụng nhiệt năng để khởi kích phản ứng của một khí tiền chất (precursor gas) trên bề mặt đế. Phản ứng trên bề mặt này chính là tác nhân hình thành nên vật liệu pha rắn. Áp suất thấp (LP) được áp dụng nhằm giảm thiểu các phản ứng không mong muốn ở pha khí, đồng thời tăng cường độ đồng đều trên toàn bộ bề mặt đế. Hơn nữa, quy trình này phụ thuộc nghiêm ngặt vào việc kiểm soát nhiệt độ; nhiệt độ quy trình càng cao thì khả năng duy trì độ ổn định càng tốt. So với quy trình CVD truyền thống ở áp suất khí quyển, ưu điểm của LPCVD là nạp được nhiều wafer hơn trong mỗi mẻ sản xuất (batch process), độ đồng đều độ dày trên cùng một wafer (within-wafer uniformity) được cải thiện đáng kể
(< ±3%) và chi phí sản xuất được tối ưu hóa giảm xuống.

Đối với hệ thống của SYSKEY, thiết bị có thể kiểm soát lưu lượng khí và ghi lại dữ liệu hệ thống theo thời gian thực (áp suất, nhiệt độ đế), giúp chế tạo một cách hoàn hảo các màng mỏng chất lượng cao.

Ứng dụng	Buồng chân không
Tăng trưởng ống nano carbon (CNT) và graphene. Các màng SiO_x, SiN_x, a-Si, DLC và các màng mỏng khác. Ủ nhiệt (Annealing). Khuếch tán (Diffusion). Oxy hóa (Oxidation).	Lò gia nhiệt dạng ngang (Horizontal) hoặc dạng đứng (Vertical) tích hợp cơ chế nạp phôi自動.
Cấu hình và lợi ích	Tùy chọn
Kích thước đế linh hoạt lên tới wafer đường kính 8 inch. Cấu hình đơn wafer hoặc đa wafer. Độ đồng đều màng mỏng xuất sắc dưới ±5%. Bộ điều khiển lưu lượng khối (MFC) với khả năng phân phối khí đồng đều cao, hỗ trợ lên đến 10 đường khí. Gia nhiệt đế lên đến 1700°C với khả năng kiểm soát nhiệt độ quy trình ổn định.	Tích hợp hệ thống Load-Lock (đơn đế hoặc cassette-to-cassette).