Sản phẩm

Hệ thống khắc ion phản ứng

OLEDs / Màn hình

OPV / Pin mặt trời Perovskite

Công nghiệp bán dẫn

Nghiên cứu vật lý / vật liệu

Trong quy trình khắc ion phản ứng (RIE), biên dạng khắc (etching profile), tốc độ khắc, độ đồng đều và độ lặp lại có thể được kiểm soát cực kỳ chính xác. Thiết bị có thể thực hiện cả biên dạng khắc đẳng hướng (isotropic) lẫn dị hướng (anisotropic).

Do đó, quy trình RIE là một quy trình khắc vật lý - hóa học, và là quy trình quan trọng nhất để định hình các cấu trúc màng mỏng khác nhau trong sản xuất bán dẫn. Đối với hệ thống của SYSKEY, thiết bị có thể kiểm soát lưu lượng khí và quy trình plasma, giúp chế tạo một cách hoàn hảo các màng mỏng chất lượng cao.

Ứng dụng	Buồng chân không
Nghiên cứu plasma cơ bản. Khắc các chất bán dẫn hợp chất III-V (GaAs, InP, GaN). Khắc Si, SiO₂, SiN_x. Hệ thống vi cơ điện tử (MEMS). Khắc kim loại, silicon和大 cảm quang (photoresist).	Buồng chân không bằng nhôm anod hóa cứng (hard anodized aluminum). Kiểm soát nhiệt độ buồng bằng cách sử dụng bộ làm mát/làm nóng nước (water chiller/heater).
Cấu hình và lợi ích	Tùy chọn
Kích thước đế linh hoạt lên tới đường kính 12 inch. Cấu hình đơn wafer hoặc đa wafer. Độ đồng đều màng mỏng xuất sắc dưới ±5%. Bộ điều khiển lưu lượng khối (MFC) với khả năng phân phối khí đồng đều cao, hỗ trợ lên đến 6 đường khí. Gia nhiệt mâm cặp giữ đế (substrate chuck) lên đến 400°C hoặc làm mát xuống -20°C với nhiệt độ quy trình ổn định.	Gói bơm phân tử dòng xoáy (Turbo-molecular pump package). Quang phổ phát xạ quang học (OES) dùng làm bộ dò điểm kết thúc khắc (Endpoint detector - EDP).