Sản phẩm

Hệ thống PECVD cho màn hình phẳng

OLEDs / Màn hình

OPV / Pin mặt trời Perovskite

Công nghiệp bán dẫn

Nghiên cứu vật lý / vật liệu

Với sự gia tăng về kích thước của các tấm nền LCD và nhu cầu sản xuất thủy tinh, thiết bị sản xuất cũng trở nên lớn hơn, đòi hỏi nguồn vốn đầu tư thiết bị ngày càng cao. Các hệ thống của SYSKEY cung cấp quy trình lắng đọng cho silicon vô định hình (a-Si), silicon oxit (SiO_x), silicon nitrit (SiN_x), silicon oxynitrit (SiON) và lắng đọng đa lớp.

Ứng dụng
Silicon vô định hình (a-Si). Silicon Nitrit (SiN_x). Silicon Oxit, gốc Silane (SiO_x). Silicon Oxit, gốc TEOS (SiO_x).
Cấu hình và lợi ích	Tùy chọn
Kích thước đế linh hoạt lên đến 550 x 650 mm² (thủy tinh). Độ đồng đều màng mỏng xuất sắc dưới ±3%. Tiêu chuẩn hỗ trợ lên đến 7 đường khí cho mỗi buồng quy trình. Làm sạch buồng tại chỗ (In-situ) sử dụng nguồn plasma từ xa (RPS). Gia nhiệt đế lên đến 380°C với khả năng kiểm soát nhiệt độ ổn định.	Cổng Cassette (Cassette port). Hệ thống hóa hơi TEOS đã được cấp bằng sáng chế (TVS) phục vụ cho quy trình lắng đọng TEOS. Cổng dự phòng bổ sung cho OES, RGA hoặc giám sát quy trình mở rộng.